DBHiTek株式会社申洪植获国家专利权
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龙图腾网获悉DBHiTek株式会社申请的专利功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721868U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421227759.9，技术领域涉及：H10D84/60；该实用新型功率半导体器件是由申洪植设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种功率半导体器件。所述功率半导体器件，包括：高电压单元，以输出高电压的方式构成；低电压单元，以输出低电压的方式构成；电容器，与所述高电压单元电性连接，在输出所述高电压的期间内为所述高电压单元提供电力；开关单元，与所述高电压单元以及所述电容器电性连接，为了在输出所述低电压的期间内对所述电容器进行充电而对所述电容器与驱动电源之间进行连接，用于在输出所述高电压的期间内防止所述高电压单元与所述驱动电源彼此电性连接；以及，电阻单元，电性连接到所述开关单元与所述高电压单元之间，在输出所述高电压的期间内将所述高电压降低至低于所述开关单元的击穿电压的电压。
本实用新型功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：高电压单元，以输出高电压的方式构成；低电压单元，以输出低电压的方式构成；电容器，与所述高电压单元电性连接，在输出所述高电压的期间内为所述高电压单元提供电力；开关单元，与所述高电压单元以及所述电容器电性连接，为了在输出所述低电压的期间内对所述电容器进行充电而对所述电容器与驱动电源之间进行连接，用于在输出所述高电压的期间内防止所述高电压单元与所述驱动电源彼此电性连接；以及，电阻单元，电性连接到所述开关单元与所述高电压单元之间，在输出所述高电压的期间内将所述高电压降低至低于所述开关单元的击穿电压的电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人DBHiTek株式会社，其通讯地址为：韩国；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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