台湾积体电路制造股份有限公司吕哲俊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721869U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421235842.0，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由吕哲俊;陈冠纶;朱益兴;曾嘉毅设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含：第一区域以及第二区域。第一区域包括：第一主动区域的第一区段和含金属的栅极结构。在截面侧视图中含金属的栅极结构在垂直方向设置在主动区域的第一区段上方。第二区域包括：主动区域的第二区段和介电质结构。介电质结构在截面侧视图中在垂直方向设置在主动区域的第二区段上方，其中在平面俯视图中，主动区域的第二区段比主动区域的第一区段厚。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一区域，其包括：一主动区域的一第一区段；和一含金属的栅极结构，在一截面侧视图中在一垂直方向设置在该主动区域的该第一区段上方；以及一第二区域，其包括：该主动区域的一第二区段；和一介电质结构，在该截面侧视图中在该垂直方向设置在该主动区域的该第二区段上方，其中在一平面俯视图中，该主动区域的该第二区段比该主动区域的该第一区段厚。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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