派德芯能半导体(上海)有限公司潘达文获国家专利权
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龙图腾网获悉派德芯能半导体(上海)有限公司申请的专利简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410650553.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法是由潘达文;王觅;杨成明设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法，通过P型掺杂区的深度大于伪沟槽栅的深度的设置，可大大增加IGBT器件结构的Cies输入电容；通过N型漂移区与P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在P型掺杂区的耗尽线的深度大于伪沟槽栅的深度，可以降低IGBT器件结构的Cres反向传输电容。本申请提供了一种简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法，能够提高IGBT器件结构的CiesCres比例输入电容反向传输电容，实现零压关断，有利于简化驱动电路。
本发明授权简化驱动电路的IGBT器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种简化驱动电路的IGBT器件结构，其特征在于，包括N型漂移区以及设置在所述N型漂移区内的真沟槽栅和伪沟槽栅，每个所述真沟槽栅的两侧均为所述伪沟槽栅；所述N型漂移区内形成有间隔设置的P型掺杂区，相邻所述P型掺杂区之间形成有非掺杂区，所述非掺杂区内设置有一个所述真沟槽栅，所述伪沟槽栅均设置于所述P型掺杂区内，且所述P型掺杂区的深度大于所述伪沟槽栅的深度；所述N型漂移区与所述P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在所述P型掺杂区的耗尽线的深度大于所述伪沟槽栅的深度；所述P型掺杂区内还设置有其余真沟槽栅，且所述P型掺杂区的深度大于所述其余真沟槽栅的深度；所述N型漂移区与所述P型掺杂区所形成的PN结反向偏置时，该PN结在所述P型掺杂区的耗尽线深度大于所述其余真沟槽栅的深度。
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