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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410609235.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;葛延栋;卢浩然;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成第一牺牲层和位于第一牺牲层之上的有源结构；有源结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上沉积氧化物材料，以形成浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构包裹第二有源结构和第一牺牲层，第一有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构和第一牺牲层；去除第一牺牲层，并在被去除的第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构；以硬掩模结构为硬掩模，减薄浅沟槽隔离结构，以使第二有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；去除硬掩模结构之后，基于第二有源结构，形成第二晶体管。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一牺牲层和位于所述第一牺牲层之上的有源结构；其中，所述有源结构包括：第一有源结构和第二有源结构；所述第一有源结构和所述第二有源结构沿第一方向堆叠，所述第一有源结构相比于所述第二有源结构远离所述第一牺牲层；在所述半导体衬底上沉积氧化物材料，以形成浅沟槽隔离结构；所述浅沟槽隔离结构包裹所述第二有源结构和所述第一牺牲层，所述第一有源结构暴露于所述浅沟槽隔离结构之外；基于所述第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除所述半导体衬底，以暴露所述浅沟槽隔离结构和所述第一牺牲层；去除所述第一牺牲层，并在被去除的所述第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构；以所述硬掩模结构为硬掩模，减薄所述浅沟槽隔离结构，以使所述第二有源结构暴露于所述浅沟槽隔离结构之外；去除所述硬掩模结构之后，基于所述第二有源结构，形成第二晶体管；其中，所述去除所述第一牺牲层，并在被去除的所述第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构，包括：去除所述第一牺牲层，以形成凹槽；所述凹槽的槽底由所述第二有源结构形成；在所述凹槽内沉积硬掩模材料，以形成所述硬掩模结构。

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