恭喜捷捷半导体有限公司钱清友获国家专利权
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龙图腾网恭喜捷捷半导体有限公司申请的专利VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721861U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420767649.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型VDMOS器件是由钱清友;江林华;吕梦婕;王慧楠设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本VDMOS器件在说明书摘要公布了：一种VDMOS器件，涉及半导体器件技术领域。该VDMOS器件包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层内且与外延层上表面平齐的P阱区、设于P阱区内且与P阱区上表面平齐第一掺杂区和第二掺杂区、位于外延层上且分别与第一掺杂区和第二掺杂区连接的源极、位于衬底背离外延层一侧的漏极，以及栅极；第一掺杂区和第二掺杂区并排设置；栅极包括设于外延层上的第一结构和设于外延层内的第二结构，第一结构和第二结构连接，第二结构沿第一方向呈阶梯状设置，第一方向为衬底和外延层的排布方向。该VDMOS器件能够提高器件击穿性能的同时降低导通电阻。
本实用新型VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的外延层、设于所述外延层内且与所述外延层上表面平齐的P阱区、设于所述P阱区内且与所述P阱区上表面平齐第一掺杂区和第二掺杂区、位于所述外延层上且分别与所述第一掺杂区和第二掺杂区连接的源极、位于所述衬底背离所述外延层一侧的漏极，以及栅极；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区并排设置；所述栅极包括设于所述外延层上的第一结构和设于所述外延层内的第二结构，所述第一结构和所述第二结构连接，所述第二结构沿第一方向呈阶梯状设置，所述第一方向为所述衬底和所述外延层的排布方向。
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