恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司汪丹丹获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器基板以及半导体芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721893U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420750108.1，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型一种图像传感器基板以及半导体芯片是由汪丹丹;刘哲儒;林豫立;张新设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器基板以及半导体芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种图像传感器基板，包括：半导体衬底，设置有多条切割道；多个图像传感单元，其形成于相邻两条所述切割道之间，每个所述图像传感单元上包括多个像素区；多个有源区，一个所述有源区设于一个所述像素区的周侧，且多个所述有源区分别包围对应的所述像素区；多个深沟槽隔离结构，一个所述深沟槽隔离结构设于一个所述有源区的周侧，且多个所述深沟槽隔离结构分别包围对应的所述有源区；其中，所述像素区上形成有浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构从所述有源区延伸至所述像素区中。通过本实用新型公开的一种图像传感器基板以及半导体芯片，能够提高图像传感器的检测效率。
本实用新型一种图像传感器基板以及半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器基板，其特征在于，包括：半导体衬底，设置有多条切割道；多个图像传感单元，其形成于相邻两条所述切割道之间，每个所述图像传感单元上包括多个像素区；多个有源区，一个所述有源区设于一个所述像素区的周侧，且多个所述有源区分别包围对应的所述像素区；多个深沟槽隔离结构，一个所述深沟槽隔离结构设于一个所述有源区的周侧，且多个所述深沟槽隔离结构分别包围对应的所述有源区；其中，所述像素区上形成有浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构从所述有源区延伸至所述像素区中。
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