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龙图腾网恭喜云南创芯微电子科技有限公司申请的专利一种能消除电流竞争的MOS驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222721344U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420671208.5，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种能消除电流竞争的MOS驱动电路是由黄全生;付加强设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能消除电流竞争的MOS驱动电路在说明书摘要公布了：一种能消除电流竞争的MOS驱动电路，属电子电路技术领域。由一MOS推挽输出电路和其前级放大电路组成，在所述放大电路上完成VAA驱动VCC的电平驱动转移；所述MOS推挽输出电路为由一PMOS管Q5与一NMOS管Q6组成的常规推挽电路；所述前级放大电路可以是由一NPN三极管Q1与一PNP三极管Q2组成的共基极放大电路，也可以是由一NMOS管Q3与一PMOS管Q4组成的共栅极放大电路。本实用新型的有益效果：能消除现有技术MOS驱动电路的电流竞争。

本实用新型一种能消除电流竞争的MOS驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种能消除电流竞争的MOS驱动电路，其特征在于：由一MOS推挽输出电路和其前级放大电路组成；所述MOS推挽输出电路为由一PMOS管Q5与一NMOS管Q6组成的推挽电路；所述前级放大电路可以是由一NPN三极管Q1与一PNP三极管Q2组成的共基极放大电路，也可以是由一NMOS管Q3与一PMOS管Q4组成的共栅极放大电路：1若前级放大电路是由一NPN三极管Q1与一PNP三极管Q2组成的共基极放大电路，则Q1、Q2的发射极连接作为输入端A；电阻R1＝电阻R2，电阻R1与电阻R2串联，其串联端接Q1和Q2的基级，R1的另一端接VAA而R2的另一端接地；电阻R3＝电阻R4，R3一端接VCC而另一端接Q1的集电极，R4一端接地而另一端接Q2的集电极；Q1的集电极接Q5的栅极，Q2的集电极接Q6的栅极，Q5的漏极接Q6的漏极后作为功率输出点B,Q5的源极接VCC而Q6的源极接地；2若前级放大电路是由一NMOS管Q3与一PMOS管Q4组成的共栅极放大电路，则Q3、Q4的源极连接作为输入端A；电阻R1＝电阻R2，电阻R1与电阻R2串联，其串联端接Q3和Q4的栅极，R1的另一端接VAA而R2的另一端接地；电阻R3＝电阻R4，R3一端接VCC而另一端接Q3的漏极，R4一端接地而另一端接Q4的漏极；Q3的漏极接Q5的栅极，Q4的漏极接Q6的栅极，Q5的漏极接Q6的漏极后作为功率输出点B,Q5的源极接VCC而Q6的源极接地。

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