买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利微型LED与微透镜集成器件、制备方法、及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410176175.1，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权微型LED与微透镜集成器件、制备方法、及应用是由孙海定;姚继凯;余华斌设计研发完成，并于2024-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型LED与微透镜集成器件、制备方法、及应用在说明书摘要公布了：提供一种微型LED与微透镜集成器件、制备方法、及应用，制备方法包括：操作S1：生长外延片结构，所述外延片结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、N型半导体材料层、多量子阱层、电子阻挡层与P型半导体材料层；操作S2：刻蚀一部分外延片结构，以使所述N型半导体材料层暴露表面；操作S3：在暴露出来的N型半导体材料层表面制作第一电极；操作S4：在P型半导体材料层表面制作第二电极；操作S5：在第一电极和第二电极以外的外延片结构表面制备绝缘层；操作S6：对应所述第一电极和第二电极上沉积金属电极焊盘，得到微型LED结构；以及操作S7：在衬底背面制备微透镜，完成微型LED与微透镜集成器件的制备。

本发明授权微型LED与微透镜集成器件、制备方法、及应用在权利要求书中公布了：1.一种紫外微型LED与微透镜集成器件的制备方法，包括：操作S1：生长外延片结构，所述外延片结构由下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型半导体材料层（3）、多量子阱层（4）、电子阻挡层（5）与P型半导体材料层（6）；操作S2：刻蚀一部分外延片结构，以使所述N型半导体材料层（3）暴露表面；操作S3：在暴露出来的N型半导体材料层（3）表面制作第一电极（7）；操作S4：在P型半导体材料层（6）表面制作第二电极（8）；操作S5：在第一电极（7）和第二电极（8）以外的外延片结构表面制备绝缘层（9）；操作S6：对应所述第一电极（7）和第二电极（8）上沉积金属电极焊盘（10），得到微型LED结构；以及操作S7：在衬底（1）背面制备微透镜，完成微型LED与微透镜集成器件的制备；所述操作S7包括：在衬底（1）背面沉积制备高折射率材料层（11）；以及刻蚀一部分区域的高折射率材料层（11），刻蚀出同心圆环光栅图形，以获得能达到聚焦效果的微透镜；所述高折射率材料层（11）的制备材料选自氧化硅，氧化锌，氧化镁，氧化镓，氮化硅，氮化铝或氮化钪的任意一种，所述高折射率材料层（11）的厚度为5-5000nm；微型LED的尺寸为10nm2～1mm2，发射出的紫外光从衬底底部出射，出射时经背面微透镜汇聚，形成发光阵列后，在纳米尺度上具有分辨率＞600ppi的发射；在一个微型LED底部集成微透镜阵列，或在微型LED阵列底部集成单个微透镜，将微型LED与微透镜集成器件制成阵列后，通过分别控制每个阵列单元像素是否发光，实现特殊图像的显示，发光阵列作为紫外光源用于无掩膜光刻中、单像素成像中、和提供图形化紫外光源。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学，其通讯地址为：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。