恭喜哈尔滨工业大学张甲获国家专利权
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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118067804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410157025.6，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器是由张甲;郭平;贺欣欣设计研发完成，并于2024-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器，属于特殊环境下痕量气体检测技术领域。本发明解决了现有二氧化氮传感器无法针对低温无氧环境下痕量二氧化氮气体高精度检测的问题。本发明提供的二氧化氮传感器包括底栅极、介电层和电极，介电层位于底栅极上且表面修饰有敏感材料，电极印刷在介电层上，敏感材料为IV‑VI族二维半导体化合物。利用敏感材料与其吸附的二氧化氮分子具有的相对能带位置差异，形成电荷掺杂，从而发生电荷转移改变敏感材料的电导率，该过程不依赖氧气的存在，且环境对该过程影响较小，可以应用于特殊环境下，如月壤挥发组分探测，土壤微生物反硝化过程研究，海洋生态系统研究等场景中的二氧化氮检测。
本发明授权一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器在权利要求书中公布了：1.一种二氧化氮传感器用于低温无氧环境下的二氧化氮气体痕量检测的应用，其特征在于，所述二氧化氮传感器包括底栅极、介电层和电极，所述介电层位于底栅极上，且表面修饰有敏感材料；所述电极印刷在介电层上；所述敏感材料为硒化锡纳米片；所述二氧化氮传感器用于低温无氧环境下的二氧化氮气体痕量检测；在检测过程中以波长为375nm的光源照射。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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