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龙图腾网恭喜江苏东海半导体股份有限公司申请的专利一种多槽式4H-SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118213402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410096037.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种多槽式4H-SiC MOSFET器件是由夏华忠;焦伟;黄嘉丽设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多槽式4H-SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多槽式4H‑SiCMOSFET器件，属于半导体器件技术领域。本发明采用多槽状4H‑SiC替代部分埋入氧化物来降低温度效应，并合理设计4H‑SiC顶部沟槽的数量和尺寸以提高器件的击穿电压。此外，本发明通过采用其浓度大于漂移区域的硅材料以填充多个沟槽来降低导通电阻。通过对新型多槽式4H‑SiCMOSFET器件的温度效应和击穿特性等分析，与常规器件相比，本发明提供的MOSFET结构更适用于高温和高压条件下的应用。本发明对设计高性能经济型SiC功率MOSFET提供了新的思路，为新型电力系统的发展注入了新的活力。

本发明授权一种多槽式4H-SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种多槽式4H-SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：P型衬底01，在P型衬底01上依次设有第一埋入氧化层02和第二埋入氧化层04、P型4H-SiC层03、N型Si层05、P型通道层07、N型漂移层08、高掺杂浓度N型源极层06及源极金属层10、高掺杂浓度N型漏极层09及漏极金属层13、栅氧化层11及栅极金属层12；其中，P型4H-SiC层03顶部为多槽状结构，N型漂移层08底部呈槽状，N型Si层05嵌于P型4H-SiC层03和N型漂移层08之间，且呈梳齿状以用作N型漂移层08底部沟槽的填充和P型4H-SiC层03顶部多沟槽的填充；所述第一埋入氧化层02、P型4H-SiC层03和第二埋入氧化层04依次排布于P型衬底01上方；高掺杂浓度N型源极层06和P型通道层07位于第一埋入氧化层02的上方，高掺杂浓度N型漏极层09位于第二埋入氧化层04的上方；N型漂移层08位于P型通道层07和高掺杂浓度N型漏极层09之间；所述源极金属层10位于高掺杂浓度N型源极层06上方，漏极金属层13位于高掺杂浓度N型漏极层09上方；栅氧化层11位于P型通道层07上方，栅极金属层12位于栅氧化层11上方。

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