买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海类比半导体技术有限公司申请的专利超低漏电的ESD保护电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117613834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311578461.2，技术领域涉及：H02H9/00；该发明授权超低漏电的ESD保护电路及芯片是由陈原;王建设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低漏电的ESD保护电路及芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超低漏电的ESD保护电路及芯片。其中，超低漏电的ESD保护电路的输入端与第一PIN脚连接，所述ESD保护电路的输出端与第二PIN脚连接；所述ESD保护电路包括串联的ESD模块和漏电控制模块，所述漏电控制模块的阻断电阻大于所述ESD模块的阻断电阻，以阻止所述第一PIN脚的电流经过所述ESD保护电路流出所述第二PIN脚。本申请实施例提供的超低漏电的ESD保护电路可以降低电路中的漏电流。

本发明授权超低漏电的ESD保护电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种超低漏电的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路的输入端与第一PIN脚连接，所述ESD保护电路的输出端与第二PIN脚连接；所述ESD保护电路包括串联的ESD模块和漏电控制模块，所述ESD模块包括第二MOS管，所述第二MOS管的源极与所述第一PIN脚连接，所述漏电控制模块包括相连接的低漏电开关和第一电压控制模块，所述第一电压控制模块用于控制所述低漏电开关的两端电压，以调节所述低漏电开关的关闭程度；所述漏电控制模块的阻断电阻大于所述ESD模块的阻断电阻，以阻止所述第一PIN脚的电流经过所述ESD保护电路流出所述第二PIN脚；所述低漏电开关包括第一MOS管，所述第一电压控制模块的输入端连接所述第一MOS管的漏极，所述第一电压控制模块的第一输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一电压控制模块的第二输出端连接所述第一MOS管的源极；所述第一电压控制模块用于将所述第一MOS管的漏极电压转化为第一输出电压和第二输出电压，并通过所述第一输出端输出所述第一输出电压，通过所述第二输出端输出所述第二输出电压；其中，所述第一输出电压大于所述第二输出电压，以使所述第一MOS管的栅极电压大于所述第一MOS管的源极电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海类比半导体技术有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江高科达尔文路88号3幢5楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。