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龙图腾网恭喜安徽华晟新能源科技股份有限公司申请的专利异质结电池的制备方法及异质结电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117542926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311555045.0，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权异质结电池的制备方法及异质结电池是由彭长涛;张良;张建伟;萧吉宏设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结电池的制备方法及异质结电池在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供异质结电池的制备方法及异质结电池，异质结电池的制备方法包括：在半导体衬底层的第一表面和或第二表面形成图形化掩膜；对半导体衬底层未被图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理，去除图形化掩膜，半导体衬底层的第一表面和或第二表面在对应图形化掩膜的区域为光面；在半导体衬底层的第一表面和或第二表面的一侧形成感光膜层；对感光膜层进行处理以形成栅线预形成层；栅线预形成层包括导电图形区，导电图形区在半导体衬底层的第一表面和或第二表面的投影对应于光面；在对应导电图形区电镀形成栅线电极。本发明提供异质结电池的制备方法提高异质结电池的电性能和良品率。

本发明授权异质结电池的制备方法及异质结电池在权利要求书中公布了：1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层，所述半导体衬底层包括相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面形成图形化掩膜；对所述半导体衬底层未被所述图形化掩膜覆盖的区域进行制绒处理，使得所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面呈部分绒面；去除所述图形化掩膜，所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面在对应所述图形化掩膜的区域为光面；在所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面的一侧形成感光膜层；在所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面形成感光膜层之后，对所述感光膜层进行处理以形成栅线预形成层；所述栅线预形成层包括导电图形区，所述导电图形区在所述半导体衬底层的第一表面和或第二表面的投影对应于所述光面；在对应所述导电图形区电镀形成栅线电极。

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