买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116197738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310143325.4，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法是由侯晶;许乔;李洁;钟波;陈贤华;郑楠;李海波;邓文辉;王健设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法在说明书摘要公布了：本发明适用于光学复杂曲面元件的超精密抛光领域，提供了一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法，包括以下步骤：H1：根据干涉仪的检测图像和加工后预期面形，计算初始面形误差；H2：根据元件类型和初始面形误差选取合适的抛光轨迹；H3：对面形误差进行非球面区域划分，获得各个划分区域的位置、大小、球面半径和球心坐标，得到各个划分区域的去除函数；H4：进行磁流变抛光采斑实验，获取当前加工条件下实际抛光斑的三维形貌，并计算得到各个划分区域的抛光斑去除函数；H5：分配驻留点，并计算驻留时间矩阵。本方法可以达到高精度的磁流变抛光效果，为磁流变抛光工艺提供理论支持。

本发明授权一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种复杂曲面光学元件磁流变抛光的仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：H1：根据干涉仪的检测图像和加工后预期面形，计算初始面形误差；H2：根据元件类型和初始面形误差选取合适的抛光轨迹；H3：对面形误差进行非球面区域划分，获得各个划分区域的位置、大小、球面半径和球心坐标，得到各个划分区域的去除函数；H4：进行磁流变抛光采斑实验，获取当前加工条件下实际抛光斑的三维形貌，并计算得到各个划分区域的抛光斑去除函数；H5：分配驻留点，并计算驻留时间矩阵；步骤H3中，对非球面进行区域划分时，划分的原则为离轴量越大划分区域越小；步骤H4中，还包括将切平面抛光斑投影到全局坐标系中，获得各个划分区域的抛光斑形貌： ， 为抛光斑上一点的全局坐标，为抛光斑上一点的局部坐标，为划分区域中心对应的全局坐标；为绕y轴转动角的系数矩阵，为绕x轴转动角的系数矩阵，两者对应的方程为： ， ， 为在XOZ平面中，局部坐标系与总坐标系之间的夹角，为在YOZ平面中，局部坐标系与总坐标系之间的夹角；步骤H5中，采用脉冲迭代算法求解得到驻留时间矩阵： ，其中，Hx,y为元件的残差矩阵，Rx,y为抛光斑去除函数矩阵，Tx,y为驻留时间矩阵，表示卷积运算；当元件残余误差矩阵的RMS值满足要求，则导出驻留时间矩阵，否则继续迭代。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国工程物理研究院激光聚变研究中心，其通讯地址为：610000 四川省成都市武侯区科园1路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。