恭喜西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司张海博获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利用于硅片的外延生长的基座及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115852478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211612969.5，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权用于硅片的外延生长的基座及装置是由张海博;曹岩;俎世琦设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于硅片的外延生长的基座及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于硅片的外延生长的基座及装置，属于硅片外延生长技术领域。用于硅片的外延生长的基座，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；所述圆盘形承载部包括至少一个扇形区域和除所述扇形区域之外的间隔区域，所述扇形区域以与所述硅片的100晶向对应的径向方向为中心轴，所述扇形区域的背面减薄，使得所述扇形区域的厚度小于所述间隔区域的厚度。本发明的技术方案能够获得平坦度更好的外延硅片。
本发明授权用于硅片的外延生长的基座及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于硅片的外延生长的基座，其特征在于，包括：用于承载所述硅片的圆盘形承载部；所述圆盘形承载部包括至少一个扇形区域和除所述扇形区域之外的间隔区域，所述扇形区域以与所述硅片的100晶向对应的径向方向为中心轴，所述扇形区域的背面减薄，使得所述扇形区域的厚度小于所述间隔区域的厚度；所述扇形区域的厚度从与所述硅片的100晶向对应的径向方向至与所述硅片的相邻于所述100晶向的110晶向对应的径向方向逐渐增大；从所述圆盘形承载部的中心到边缘的方向，所述基座的厚度先减小后增大；其中，所述扇形区域的厚度与所述间隔区域的厚度的差值在1-2um，所述扇形区域的半径小于所述基座的半径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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