恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司姚阳文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS麦克风及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115314819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086114.3，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权MEMS麦克风及其制备方法是由姚阳文;方羊;闾新明;胡永宝设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS麦克风及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS麦克风及其制备方法。该制备方法中，通过去除牺牲材料层中位于振动膜端部的部分，以使背极板的侧边部可以抵接至振动膜的端部上以支撑所形成的背极板。并且，在刻蚀牺牲材料层以暴露出振动膜端部的过程中，通过调整刻蚀工艺以使牺牲材料层的侧壁倾斜度降低，如此，即可使得覆盖在牺牲材料层上的背极板其侧边部相应的具备较小的侧壁倾斜度，有效减小了该倾斜侧壁所对应的顶角上的应力，降低了该顶角在受到冲击时发生破裂的风险，提高了背极板的强度。
本发明授权MEMS麦克风及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成振动膜，所述衬底具有第一区段，所述振动膜的端部延伸至所述第一区段内；在所述振动膜上形成牺牲材料层；在所述牺牲材料层上形成光阻层，所述光阻层暴露出所述牺牲材料层中位于第一区段内的部分；在所述光阻层的掩模下执行刻蚀工艺，以刻蚀所述牺牲材料层位于第一区段内的部分而暴露出所述振动膜的端部；其中，所述刻蚀工艺包括：第一刻蚀过程，用于至少部分去除所述牺牲材料层暴露出的部分；以及，第二刻蚀过程，用于降低所述光阻层的侧壁倾斜度，同时降低所述牺牲材料层的侧壁倾斜度；形成背极板，所述背极板覆盖所述振动膜的端部和所述牺牲材料层；以及，去除所述牺牲材料层，以释放出所述振动膜和所述背极板之间的空间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号