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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210999304.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制造方法是由郭安然;李睿智;曲鹏程设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测器芯片技术领域，具体涉及一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制造方法；该方法包括：提供清洁P型外延硅片，生长氧化硅介质层；制备截止环；制备保护环；P形杂质注入和N形杂质注入形成雪崩区；制备N+接触区；氧化硅介质层上形成上电极；将玻璃载体片键合到P型外延硅片正面；采用机械研磨、自停止腐蚀的方法腐蚀部分P型衬底；采用湿法腐蚀方法去除外延层中的过渡区；制备P+接触区；在P+接触区下方形成下电极；解开正面的玻璃载体片；本发明去除多余衬底和过渡区，具有低后脉冲特点，实用性高。

本发明授权一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低后脉冲的硅SPAD探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供清洁P型外延硅片；P型外延硅片包括P型衬底和外延层；在P型外延硅片上生长氧化硅介质层；S2：通过光刻、蚀刻介质层，形成截止环图案，并将硼元素注入截止环图案中，形成截止环；S3：通过光刻、刻蚀介质层，形成保护环图案，并将磷元素注入保护环图案中形成保护环；S4：雪崩区P形杂质注入：通过光刻、刻蚀介质层，形成雪崩区图案，向雪崩区注入硼元素，再通过高温过程使硼元素向硅片内部扩散；S5：雪崩区N形杂质注入：向雪崩区注入磷元素，再通过高温过程使磷元素向硅片内部扩散，从而和硼元素互补掺杂；S6：通过光刻、刻蚀介质层，形成N+接触区图案，并通过注入磷元素形成N+接触区；S7：在氧化硅介质层上方淀积金属铝，并通过光刻、刻蚀形成上电极；S8：采用临时键合胶，将玻璃载体片键合到P型外延硅片正面，以便在后续减薄加工中提供机械支撑；S9：采用机械研磨、自停止腐蚀的方法腐蚀部分P型衬底，机械研磨后剩余P型衬底厚度为50μm～80μm；S10：采用湿法腐蚀方法去除外延层中的过渡区；S11：在P型外延硅片背面注入硼元素形成P+接触区，并采用激光退火方法激活硼元素；S12：在P+接触区下方淀积金属铝，并通过光刻、刻蚀形成下电极；S13：采用激光解键合方法，解开正面的玻璃载体片。

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