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龙图腾网恭喜苏州晶讯科技股份有限公司申请的专利一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761945.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法是由仇利民;戴剑;李启迪;董福兴;吴月挺设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法，该晶体管包括若干个栅极功率元胞，多对栅极功率元胞形成一个功率单元，栅极功率元胞的栅岛与栅岛之间使用金属连接，相邻两个功率单元的栅极端进行电阻隔离，多个功率单元并联。本发明中，优化了栅极功率元胞结构，再采用多个栅极功率元胞结构并联形成功率单元，在0.25微米栅长的栅条上，经过对功率单元的并联，最终设计出低寄生效应的大栅宽高密度的GaN晶体管，实现了可使用于X波段120瓦的大功率管芯，有效解决工作电压与导通电阻之间的矛盾，全面提高了器件的输出功率和转换效率，对于提高器件的特征频率有积极的意义，将促进晶体管向高频率、高功率和宽带方向发展。

本发明授权一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率密度的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括若干个栅极功率元胞，多对栅极功率元胞形成一个对地的功率单元，栅极功率元胞的栅岛与栅岛之间使用金属连接，相邻两个功率单元的栅极端进行电阻隔离，多个功率单元并联；所述栅极功率元胞是在GaN结构的外延层上制成，所述栅极功率元胞包括设置于外延层上的氮化硅薄膜结构、漏电极、源电极、T型金属低阻栅、金属0层、场板、金属1场板、金属1层和金属2层，所述GaN结构包括硅衬底和外延层，所述外延层包括GaN层和Al-GaN层；所述氮化硅薄膜结构包括第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、第三氮化硅薄膜和第四氮化硅薄膜四层，所述Al-GaN层上表面设置有漏电极、源电极、T型金属低阻栅和第一氮化硅薄膜，相邻两个漏电极之间设置有一个源电极，漏电极与源电极之间设置有第一氮化硅薄膜，位于漏电极与源电极之间的第一氮化硅薄膜的两端分别向漏电极和源电极延伸并分别骑在漏电极和源电极上，第一氮化硅薄膜上设置有第二氮化硅薄膜且二者之间设置有T型金属低阻栅，T型金属低阻栅的T型头骑在第一氮化硅薄膜上，T型金属低阻栅穿过第一氮化硅薄膜设置于Al-GaN层上，第二氮化硅薄膜上设置有第三氮化硅薄膜且二者之间设置有场板，第三氮化硅薄膜上设置有金属1场板和第四氮化硅薄膜，漏电极上设置有金属0层，源电极上设置有金属0层，金属0层上设置有金属1层，金属1层与金属0层进行连接，形成电极，金属1场板位于金属0层上方，金属1场板与金属1层之间设置有第三氮化硅薄膜，金属1场板下方与金属0层、第三氮化硅薄膜相接触，位于漏电极与源电极之间的第一氮化硅薄膜以及该第一氮化硅薄膜正上方的第二氮化硅薄膜的两端分别与金属0层相接触，位于该第二氮化硅薄膜正上方的第三氮化硅薄膜一端与金属1层相接触，第三氮化硅薄膜另一端与金属0层相接触，第三氮化硅薄膜上设置有第四氮化硅薄膜且二者之间设置有金属1场板，第四氮化硅薄膜两端及上方设置有金属2层，第四氮化硅薄膜两端的金属2层深至金属1层，金属2层与金属1层连接，形成电极，金属2层上方设置有氮化硅钝化膜，氮化硅钝化膜上方设置有聚酰亚胺钝化层，第四氮化硅薄膜中部与金属2层之间不接触，通过空气桥相连。

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