恭喜武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司陆红艳获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司申请的专利一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116632103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514776.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法是由陆红艳;朱凡;李志刚;张强;肖俊峰设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法，对晶体硅片织构化处理后；对晶体硅表面拟重掺区域进行激光轰击处理得到轰击后的拟重掺区域，清洗掉晶体硅表面可能存在的脏污；然后再将所述清洗后的晶体硅放入扩散炉，在扩散炉内对晶体硅进行通源制结，最终在晶体硅表面拟重掺区域形成重掺结，而在晶体硅表面其他结区域形成轻掺结。相比现有的选择性发射极制备技术，本发明申请提供的一种制备N型电池硼掺杂选择性发射极的方案，能够简化工艺流程，仅需要进行简单化学清洗处理即可进行后续工艺。
本发明授权一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型晶体硅太阳能电池选择性发射极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对N型硅片表面进行织构化处理；S2、对N型硅片表面拟重掺区域进行激光轰击处理得到激光轰击后的拟重掺区域；所述激光轰击处理的激光器是亚纳秒级或皮秒级或飞秒级的激光器，脉冲宽度为100fs-1ns，激光器的瞬时峰值功率为50KW-500MW；S3、酸洗去除掉轰击处理后N型硅片表面可能存在的脏污；S4、然后再将S3清洗后的N型硅片放入扩散炉，在扩散炉内对晶体硅进行通源制结工艺，最终在N型硅片表面拟重掺区域形成重掺结，而在晶体硅表面其他结区域形成轻掺结。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司，其通讯地址为：430078 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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