恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司谢岚驰获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451043.6，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权LED外延结构及其制备方法是由谢岚驰;李森林;毕京锋;薛龙;王亚宏;赖玉财;廖寅生设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层，且所述应变缓冲层为AlxGa1‑x0.5In0.5P、GaP和AlyGa1‑y0.5In0.5P组成的结构层，其中0.10≤x≤0.50，0.05≤y≤0.10。本发明通过生长应变缓冲层可以提高外延结构的晶体质量，进而降低LED器件的工作电压，提高其发光效率。
本发明授权LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层，且所述应变缓冲层为单周期结构或者多周期结构，所述应变缓冲层的每个周期的结构包括依次堆叠的第一结构层、第二结构层以及第三结构层，其中所述第一结构层的材质包括AlxGa1-x0.5In0.5P；所述第二结构层的材质包括GaP；所述第三结构层的材质包括AlyGa1-y0.5In0.5P，其中0.10≤x≤0.50，0.05≤y≤0.10。
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