恭喜山东浪潮华光光电子股份有限公司徐盼盼获国家专利权
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龙图腾网恭喜山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种芯片切割后处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210321794.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种芯片切割后处理方法是由徐盼盼;闫宝华;齐国健;李法健设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片切割后处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：1将电极面贴覆了白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。2去除芯片电极面上的白膜，然后在芯片的非电极面贴上白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留非电极面上的白膜。3沿着芯片的电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。4清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面朝向蓝膜粘贴面；然后对芯片进行加热扩膜，即可。本发明的方法解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染的问题，显著提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。
本发明授权一种芯片切割后处理方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片切割后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将非电极面贴覆白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片；（2）去除芯片非电极面上的白膜，然后在芯片的电极面贴覆白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留电极面上的白膜；（3）沿着芯片的非电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂；（4）清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜在20~25℃进行微括处理，在微扩膜完成的LED芯片非电极面粘贴蓝膜，将所述蓝膜在常温下均匀按压在LED芯片非电极面后，将LED芯片翻转至非电极面朝下而电极面朝上，然后45°撕去电极面上白膜，完成LED芯片倒膜，此时LED芯片非电极面接触蓝膜；然后对芯片进行加热扩膜，即可。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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