恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司龚程成获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利具有电子传输层的紫外发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210195161.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权具有电子传输层的紫外发光二极管外延片及其制备方法是由龚程成;易丁丁;张琰琰;陆香花设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有电子传输层的紫外发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种具有电子传输层的紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。发光层与n型AlGaN层之间增加电子传输层，且电子传输层包括BNn‑AlGaN石墨烯超晶格，BN子层增加势垒高度，提高发光均匀度；并且BN子层中B原子的半径较小，减少会延伸至发光层内的缺陷。n‑AlGaN子层提供电子，提高可进入发光层的电子的浓度。石墨烯子层可以起到隔离缺陷与发光层的作用，降低发光层内缺陷。得到的紫外发光二极管的发光效率与发光均匀度均可得到提高。
本发明授权具有电子传输层的紫外发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有电子传输层的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述具有电子传输层的紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型AlGaN层、电子传输层、发光层及p型AlGaN层，所述电子传输层包括BN-AlGaN石墨烯超晶格，所述BN-AlGaN石墨烯超晶格包括周期性依次层叠的BN子层、n-AlGaN子层与石墨烯子层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号