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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利微型发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210193890.7，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权微型发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和散射层；发光结构位于基板的表面，散射层位于发光结构远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块均位于散射层的远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接；散射层包括绝缘层和多个反射凸起，绝缘层位于发光结构远离基板的表面，多个反射凸起间隔排布在绝缘层远离基板的表面。本公开实施例能提升芯片的侧向光的比例，降低垂直方向的光线比例，以提升芯片的侧面发光强度。

本发明授权微型发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片包括：基板（10）、发光结构（20）、第一焊点块（31）、第二焊点块（32）和散射层（40）；所述发光结构（20）位于所述基板（10）的表面，所述散射层（40）位于所述发光结构（20）远离所述基板（10）的表面，所述第一焊点块（31）和所述第二焊点块（32）均位于所述散射层（40）的远离所述基板（10）的表面，所述第一焊点块（31）和所述第二焊点块（32）分别与所述发光结构（20）的两个电极连接；所述散射层（40）包括绝缘层（41）和多个反射凸起（42），所述绝缘层（41）位于所述发光结构（20）远离所述基板（10）的表面，多个所述反射凸起（42）间隔排布在所述绝缘层（41）远离所述基板（10）的表面，所述反射凸起（42）包括依次层叠于所述绝缘层（41）上的第一凸块（421）和第二凸块（422），所述第二凸块（422）在所述基板（10）上的正投影位于所述第一凸块（421）在所述基板（10）上的正投影内；所述第一凸块（421）的直径大于所述第二凸块（422）的直径，所述第二凸块（422）与所述第一凸块（421）层叠形成的所述反射凸起（42）呈阶梯状。

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