恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司廖寅生获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利红外发光二极管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210157090.X，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权红外发光二极管外延结构及其制备方法是由廖寅生;李森林;毕京锋设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外发光二极管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种红外发光二极管外延结构及其制备方法，其中所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层为组分渐变的结构层。本发明通过在有源层与第二型半导体层之间插入组分渐变的应力释放层，能够增加发光二极管的发光效率，并且能够有效降低电压。
本发明授权红外发光二极管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外发光二极管外延结构，其特征在于，所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层包括依次层叠在所述有源层上的第一结构层和第二结构层，所述第一结构层中的P组分渐变，所述第二结构层中的Al组分渐变。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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