恭喜东北师范大学王中强获国家专利权
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龙图腾网恭喜东北师范大学申请的专利一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210084878.2，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法是由王中强;杜怡明;陶冶;徐海阳;刘益春设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法，所述全光控忆阻器件从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoOx薄膜层和透明电极，所述ZnO薄膜层和MoOx薄膜层共同组成了全光控忆阻器件的光电忆阻层，构成具有一定势垒宽度的异质结结构。本发明的全光控忆阻器件可以通过调控ZnOMoOx异质结的势垒宽度，在紫外光和绿光的调控下实现光门控的可逆激活和抑制。本发明的全光控忆阻器件作为两端器件，结构简单、易于制备、具有可集成性，利用紫外光和绿光的可逆调控可以实现在全光控制下对器件的可逆调制。在视觉感存算一体技术的研究中具有良好的应用潜力。
本发明授权一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件，从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoOx薄膜层、透明电极，所述ZnO薄膜层和MoOx薄膜层共同组成了全光控忆阻器件的光电忆阻层；所述ZnO薄膜层的厚度为100±20nm；所述MoOx薄膜层的厚度为100±30nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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