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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210087956.4，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法是由兰叶;王江波;朱广敏设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。本公开实施例能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。

本发明授权InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaN基红光发光二极管芯片，其特征在于，所述InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板10、发光结构20和平坦层30；所述平坦层30包括依次层叠的氮化硅层310和多个复合层320，所述氮化硅层310位于所述发光结构20远离所述基板10的表面，所述复合层320包括交替层叠的第一氧化硅层321和第二氧化硅层322，所述第一氧化硅层321的沉积温度高于所述第二氧化硅层322的沉积温度；所述第一氧化硅层321远离所述氮化硅层310的表面包括进行过激光照射的第一激光照射区330和未进行过激光照射的第一非照射区331，所述第二氧化硅层322远离所述氮化硅层310的表面包括进行过激光照射的第二激光照射区340和未进行过激光照射的第二非照射区341；所述第一激光照射区330在所述基板10上的正投影与所述第二非照射区341在所述基板10上的正投影重合，所述第二激光照射区340在所述基板10上的正投影与所述第一非照射区331在所述基板10上的正投影重合。

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