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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210040111.X，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路及其制作方法是由严雪峰;崔大健;童启夏;周浪;王立;黄晓峰设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的正面设置有通过金属镀层形成的信号输出微带线、接地金属镀层、微带线过渡段、P电极连接部、两个N电极传输线和匹配网络的采样电阻；所述P电极连接部和两个N电极传输线上分别设有倒装金柱；所述接地金属镀层的中部开设有接地通孔，所述陶瓷基板的反面和接地通孔的孔壁覆盖有金层。本发明中，在陶瓷基板上采用镀层的方式形成电路结构，通过对陶瓷基板电路各器件尺寸的设计，使微带线传输与高速光电二极管芯片匹配度高，传输损耗小，从而能够使陶瓷基板电路的3dB带宽达到36.95GHz，30GHz内射频反射损耗达到‑8.366dB。

本发明授权高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高带宽阻抗匹配集成陶瓷基板电路，其特征在于，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板设有正面、以及与正面相对的反面；所述正面设置有通过第一金属镀层形成的信号输出微带线、接地金属镀层、微带线过渡段、P电极连接部和两个N电极传输线，以及通过第二金属镀层形成的匹配网络的采样电阻；所述第一金属镀层包括设置在陶瓷基板上的钨钛合金层、设置钨钛合金层上的铂层、以及设置在铂层上的第一金层，所述钨钛合金层的厚度为0.1μm；所述铂层的厚度为0.2μm；所述第一金层的厚度为3.0～3.5μm；所述第二金属镀层为氮化钽层；所述氮化钽层的尺寸为0.15mm×0.3mm，阻值为50Ω；所述信号输出微带线的一端通过梯形的微带线过渡段与P电极连接部连接，两个所述N电极传输线对称设置在P电极连接部的两侧，所述P电极连接部上设有第一倒装金柱，两个所述N电极传输线上分别设有第二倒装金柱；所述信号输出微带线的一侧与采样电阻连接，所述采样电阻与接地金属镀层连接，所述接地金属镀层的中部开设有贯穿至反面的接地通孔，所述陶瓷基板的反面覆盖有第二金层，所述第二金层用于接地，所述接地通孔的孔壁覆盖有连接接地金属镀层和第二金层的第三金层。

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