恭喜长江存储科技有限责任公司郭振获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利制备三维存储器的方法及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210036010.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权制备三维存储器的方法及三维存储器是由郭振;袁彬;许宗珂;吴佳佳;王香凝;杨竹;李贝贝;张强威设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备三维存储器的方法及三维存储器在说明书摘要公布了：本申请的实施方式提供一种制备三维存储器的方法及三维存储器。制备三维存储器的方法包括：在衬底的一侧形成包括多个台阶的叠层结构，每个台阶包括交替堆叠的栅极牺牲层和绝缘层；形成覆盖台阶的缓冲层；形成覆盖缓冲层的第一介质层；以及形成覆盖第一介质层的、具有对应于台阶侧壁的第一开口的第一掩膜层，并经由第一开口对覆盖台阶侧壁的第一介质层和缓冲层进行刻蚀。本申请的实施方式利用第一掩膜层去除台阶侧壁残留的缓冲层，可减少不同栅极层之间的短接即不同层之间的字线桥接的概率，提升了三维存储器的良率。
本发明授权制备三维存储器的方法及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成包括多个台阶的叠层结构，每个所述台阶包括交替堆叠的栅极牺牲层和绝缘层；形成覆盖所述台阶的缓冲层；形成覆盖所述缓冲层的第一介质层；以及形成覆盖所述第一介质层的、具有对应于所述台阶侧壁的第一开口的第一掩膜层，并经由所述第一开口对覆盖所述台阶侧壁的所述第一介质层和所述缓冲层进行刻蚀。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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