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龙图腾网恭喜中国科学院电工研究所申请的专利GaN HEMT器件三态驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582688.5，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权GaN HEMT器件三态驱动电路是由曹国恩;王一波;黄欣科;王环设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN HEMT器件三态驱动电路在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件驱动领域，具体涉及了一种GaNHEMT器件三态驱动电路，旨在解决GaNHEMT器件的反向导通压降较高，导致在死区时间内续流过程中的损耗较大的问题。本发明包括：GaNHEMT三态驱动电路，采用SR锁存器实现对GaNHEMT关断后的死区时间的识别，通过控制GaNHEMT器件在关断之后续流阶段的栅极驱动电压，降低器件的反向导通压降，从而减小续流损耗，提高效率，并使GaNHEMT在开通前的死区时间保持常规关断状态，提高驱动的可靠性和灵活性。本发明从根本上解决了由于反向导通压降较高引起的续流损耗大的问题，且结构简单、不受电路拓扑限制。

本发明授权GaN HEMT器件三态驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件三态驱动电路，其特征在于，该GaNHEMT器件三态驱动电路包括PWM1驱动信号的输入端、PWM2驱动信号的输入端、SR锁存器、续流驱动开关管、续流驱动电源、导通驱动半桥、导通驱动电源和续流驱动防反二极管；所述SR锁存器的置位端连接所述PWM1驱动信号的输入端，复位端连接所述PWM2驱动信号的输入端，输出端连接所述续流驱动开关管的门极；所述续流驱动开关管的漏极接所述续流驱动电源的正极，源极通过所述续流驱动防反二极管连接至待驱动GaNHEMT器件的栅极；所述导通驱动半桥包括上管和下管，所述上管的门极连接至所述PWM1驱动信号的输入端，漏极连接至所述导通驱动电源的正极，所述下管的门极连接至所述PWM2驱动信号的输入端，所述上管的源极和所述下管的漏极一起连接到待驱动GaNHEMT器件的栅极；所述续流驱动电源的负极、所述导通驱动电源的负极和所述下管的源极均接地。

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