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恭喜华东师范大学蔡春华获国家专利权

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龙图腾网恭喜华东师范大学申请的专利一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114300605B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111533596.8,技术领域涉及:H10N10/80;该发明授权一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器及其制备方法是由蔡春华;杨焘;毕恒昌;吴幸设计研发完成,并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器及其制备方法,其特点是传感器晶圆上设有热隔离槽、通孔和隔离墙,滤光片晶圆上或设有隔离墙,所述通孔与PAD器件相连接,并将其引入到晶圆背面;所述隔离墙设置在热隔离槽内,将热电堆像素包围;所述热隔离槽设置在两相邻的热电堆像素之间,使每个像素之间被A隔离墙所隔离;所述隔离墙设有反射层将红外辐射反射到热电堆像素的吸收层,隔离墙顶部设有键合层,两键合层将传感器晶圆与滤光片晶圆通过真空热压键合在一起,封装成红外热电堆阵列传感器。本发明与现有技术相比具有降低热串扰和红外辐射串扰,提高了传感器的能量利用率,可直接应用于红外目标为人体的场景。

本发明授权一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆级封装的红外热电堆阵列传感器,包括由传感器晶圆与滤光片晶圆组成的红外热电堆阵列传感器,其特征在于传感器晶圆上设有热隔离槽、导电通孔和A隔离墙,滤光片晶圆上设有B隔离墙,传感器晶圆与滤光片晶圆键通过设置在两隔离墙上的键合层键合在一起,封装成红外热电堆阵列传感器;所述导电通孔与热电堆传感器的PAD器件相连接,将其引入到晶圆背面;所述A隔离墙设置在热隔离槽内,将热电堆像素包围;所述热隔离槽设置在两相邻的热电堆像素之间,使每个像素之间被A隔离墙所隔离;所述A隔离墙和B隔离墙的墙表面分别设有反射层,其顶部设有键合层,两键合层将传感器晶圆与滤光片晶圆通过真空热压键合在一起,封装成红外热电堆阵列传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华东师范大学,其通讯地址为:200241 上海市闵行区东川路500号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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