恭喜长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111350272.0，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法、电子设备是由吴林春;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决提高三维存储器的结构稳定性的问题。所述三维存储器包括半导体层、叠层结构、沟道结构、第二介质层以及栅线隔离结构。叠层结构设置在半导体层上，包括交替叠置的第一介质层和栅极层。沟道结构贯穿叠层结构以及半导体层。第二介质层至少部分地设置在栅极层与沟道结构之间。栅线隔离结构贯穿叠层结构以及半导体层。栅线隔离结构包括绝缘隔离部，绝缘隔离部与半导体层接触。
本发明授权三维存储器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：半导体层；叠层结构，设置在所述半导体层上，包括交替叠置的第一介质层和栅极层；源极层，设置在所述半导体层远离所述叠层结构的一侧；沟道结构，贯穿所述叠层结构以及所述半导体层，所述沟道结构与所述源极层耦接；第二介质层，至少部分地设置在所述栅极层与所述沟道结构之间；栅线隔离结构，贯穿所述叠层结构和所述半导体层，所述栅线隔离结构包括绝缘隔离部和导电部，所述绝缘隔离部与所述半导体层接触，所述导电部设置在所述绝缘隔离部内并延伸至所述源极层，所述导电部与所述源极层耦接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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