恭喜苏州焜原光电有限公司陈意桥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州焜原光电有限公司申请的专利一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111278808.2，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法是由陈意桥;韩小朋;颜全;王珍亮设计研发完成，并于2021-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明针对现有技术中采用湿法刻蚀晶片时，晶片的横向腐蚀大，使得晶片光敏面积缩减小晶片的响应度下降的不足，提供一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法,具体如下：采用多次纵向腐蚀多次涂光刻胶的方法对晶片进行湿法刻蚀，将总的纵向腐蚀量分成N次，每次刻蚀后均在刻蚀后的表面涂光刻胶，将被刻蚀的部分包覆起来，然后再在原位置进行下一次刻蚀，采用此方法，对每次腐蚀的深度进行控制，使得每次腐蚀时，产生横向腐蚀的时间较短，横向腐蚀程度较低，再结合多次匀胶、光刻、腐蚀的工艺，当再次匀胶光刻后，光刻胶对台阶形成了包覆，阻止了腐蚀液和包覆位置的进一步接触，因此可以显著减轻横向腐蚀的程度。
本发明授权一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种能减轻晶片横向腐蚀程度的刻蚀方法，其特征在于，采用多次纵向腐蚀多次涂光刻胶的方法对晶片进行湿法刻蚀，将总的纵向腐蚀量分成N次，每次刻蚀后均先去除光刻胶，再在光刻后的表面涂光刻胶，将被刻蚀的部分包覆起来，然后再在原位置按同一形状进行下一次刻蚀，直到达到规定的刻蚀深度，前几次纵向腐蚀的深度由小变大、后几次纵向腐蚀的深度相等，后几次纵向腐蚀的深度等于前几次由小变大后的最后一次的腐蚀深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州焜原光电有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号