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龙图腾网恭喜西安工业大学申请的专利一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111199880.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法是由栗旭阳;弥谦;梁海峰;蔡长龙;潘永强;徐均琪设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得TMO薄膜；S6：将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT，获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时，实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备，从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。

本发明授权一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于溶液法TMO薄膜的超低温制备方法，其特征在于，所述基于溶液法TMO薄膜的超低温制备方法包括以下步骤：S1：制备TMO前驱液；S2：对基片进行清洗和表面活化；S3：采用S1中获得的前驱液在S2中清洗活化后的基片上实现预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火，获得透明TMO薄膜；所述S1具体为：称取定量的前驱物，将前驱物溶于定量的前驱溶剂中，根据需求添加相应的添加剂，在0-100℃的温度下磁力搅拌0.5-24小时，获得相应的TMO前驱液，其中前驱液的浓度控制在0.01-1molL；所述S1中TMO前驱液的前驱物包括但不限于金属硝酸盐、金属氯化物、金属氟化物和有机金属盐；所述S1中TMO前驱液的前驱溶剂包括但不限于高纯水、蒸馏水、二甲氧基乙醇、乙醇和N,N二甲基甲酰胺；所述S1中TMO前驱液的添加剂包括但不限于稳定剂、燃烧剂和氧化剂；所述S1中TMO前驱液元素成分包括但不限于In2O3或ZnO二元TMO前驱液、单元素掺杂In2O3或ZnO三元TMO前驱液和共掺杂In2O3或ZnO多元TMO前驱液；所述S1中TMO前驱液种类包括但不限于水基前驱液、醇基前驱液、以及在水基及醇基前驱液的基础上通过前驱液工程开发的添加燃烧剂、强氧化剂和或反应配体的前驱液；所述S5中N2等离子处理过程，采用高纯N2或者超纯N2作为等离子气源，气流量为10-700sccm，等离子处理功率为10-200W，等离子处理温度为25-250℃，等离子处理时间为30s-60min，等离子处理压强为500-1500mTorr；所述S5中后退火环境包括大气环境、N2环境、O2环境、Ar环境，此外退火温度为25-250℃，退火时间为0-12h；其中退火时间为0h时，不对TMO薄膜进行后退火处理。

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