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龙图腾网恭喜臻驱科技(上海)股份有限公司申请的专利一种半导体模块衬底及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111131465.7，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种半导体模块衬底及设计方法是由沈捷;周宇;夏雨昕;王明阳;李一粟设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体模块衬底及设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体模块衬底及设计方法，半导体模块衬底包括功率金属敷层组、辅助金属敷层组和芯片组，功率金属敷层组包括第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层；辅助金属敷层组包括第一辅助金属敷层、第二辅助金属敷层、第三辅助金属敷层、第四辅助金属敷层、第五辅助金属敷层；芯片组包括第一芯片阵列、第二芯片阵列、第三芯片阵列和第四芯片阵列。采用上述技术方案后，可在保障具有相应半导体模块衬底的半导体模块可靠性的前提下，提升模块的额定电流，并增加具有该半导体模块的电机控制器的功率大小、功率密度、工作效率等其他指标。

本发明授权一种半导体模块衬底及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块衬底，包括铺设于所述半导体模块衬底上的功率金属敷层组、辅助金属敷层组和芯片组，其特征在于，所述功率金属敷层组包括沿半导体模块衬底的长边方向依次排列的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层；所述辅助金属敷层组包括第一辅助金属敷层、第二辅助金属敷层、第三辅助金属敷层、第四辅助金属敷层、第五辅助金属敷层，其中第一辅助金属敷层设于第一功率金属敷层和第二功率金属敷层间；第二辅助金属敷层设于第二功率金属敷层内，并经键合线与所述第一辅助金属敷层电连接；第三辅助金属敷层设于第三功率金属敷层和第四功率金属敷层间；第四辅助金属敷层沿半导体模块衬底的短边方向设于第一辅助金属敷层的旁侧；第五辅助金属敷层沿半导体模块衬底的长边方向设于第四辅助金属敷层的旁侧，并设于第一功率金属敷层的旁侧；所述芯片组包括第一芯片阵列、第二芯片阵列、第三芯片阵列和第四芯片阵列，所述第一芯片阵列和第二芯片阵列沿半导体模块衬底的长边方向排列于第一功率金属敷层内，并分别通过键合线与第二功率金属敷层和第三功率金属敷层连接；所述第三芯片阵列和第四芯片阵列沿半导体模块衬底的长边方向排列于第三功率金属敷层内，并通过键合线与第四功率金属敷层连接，且设有第一上桥臂漏极辅助端子和第二上桥臂漏极辅助端子的第一功率金属敷层处呈第一延伸状，延伸方向分别朝向第四功率金属敷层和第一功率金属敷层；设有下桥臂漏极辅助端子的第三功率金属敷层处呈第二延伸状，延伸方向朝向第四功率金属敷层。

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