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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利通过沉积工艺形成薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115679291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110860037.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权通过沉积工艺形成薄膜的方法是由王晓玲;王中磊;洪海涵;张民慧设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过沉积工艺形成薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通过沉积工艺形成薄膜的方法。所述方法包括：步骤S1，将基底至于沉积腔室中；步骤S2，向沉积腔室中通入前驱体，在所述基底表面形成吸附层；步骤S3，向所述沉积腔室中通入反应体，所述反应体与所述吸附层反应，在所述基底表面形成薄膜层，并产生反应副产物；步骤S4，对所述沉积腔室进行抽真空操作，减小所述沉积腔室中的腔室压力，以降低所述薄膜层表面形成的反应副产物的脱附能；步骤S5，向沉积腔室中通入等离子体，增大形成的薄膜层表面的能量；步骤S6，向所述沉积腔室中通入清洁气体，排出所述沉积腔室中的反应副产物和残余的前驱体和反应体。根据本发明减少形成的薄膜层中的杂质，提高薄膜层的质量和电学性能。

本发明授权通过沉积工艺形成薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过沉积工艺形成薄膜的方法，其特征在于，包括：步骤S1，将基底至于沉积腔室中；步骤S2，向所述沉积腔室中通入前驱体，在所述基底表面形成吸附层；步骤S3，向所述沉积腔室中通入反应体，所述反应体与所述吸附层反应，在所述基底表面形成薄膜层，并产生反应副产物；步骤S4，进行所述步骤S3后，对所述沉积腔室进行抽真空操作，减小所述沉积腔室中的腔室压力，以降低所述薄膜层表面形成的反应副产物的脱附能；步骤S5，向沉积腔室中通入等离子体，增大形成的薄膜层表面的能量，以避免从所述薄膜层表面脱附的所述反应副产物再次回落被吸附至所述薄膜层表面；步骤S6，进行所述步骤S5后，向所述沉积腔室中通入清洁气体，排出所述沉积腔室中的反应副产物和残余的前驱体和反应体；其中，在进行步骤S5时，沉积腔室保持进行步骤S4时的腔室压力。

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