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龙图腾网恭喜芯盟科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110748651.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制造方法是由骆中伟;华文宇;丁潇设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件，包括晶体管阵列；所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状导电沟道；其中，所述柱状导电沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；在所述晶体管阵列的各柱状导电沟道的周围，同步形成环绕所述柱状导电沟道的栅极层；在所述晶体管阵列的柱状导电沟道的所述延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件，包括晶体管阵列；所述方法包括：在晶圆表面形成晶体管阵列的柱状导电沟道；其中，所述柱状导电沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；在所述晶体管阵列的各柱状导电沟道的周围，同步形成环绕所述柱状导电沟道的栅极层；所述栅极层，包括：栅极氧化层和栅电极；其中：所述栅极氧化层通过对所述柱状导电沟道的环绕侧壁进行氧化处理而形成；在形成所述栅极层之后，在所述晶体管阵列的柱状导电沟道的所述延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极，包括：从晶圆背面对所述晶圆进行离子注入，形成所述晶体管阵列的漏极区域；对所述漏极区域进行刻蚀处理，形成所述晶体管阵列中各晶体管的漏极；其中，所述晶体管阵列的各晶体管的漏极在所述晶圆底部间隔分布；或者，从晶圆背面对所述晶圆进行减薄处理，去除连接各所述柱状导电沟道的部分所述晶圆，并暴露出所述柱状导电沟道靠近所述晶圆底部的一端；对各所述柱状导电沟道靠近所述晶圆底部的一端进行离子注入，形成所述晶体管阵列中各晶体管的漏极；其中，所述晶圆背面是与所述晶圆表面相背的一面。

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