恭喜浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司侯乾坤获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司申请的专利用于电池片切割面的钝化结构及其制备方法、太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110468556.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权用于电池片切割面的钝化结构及其制备方法、太阳能电池是由侯乾坤;金井升;韩璐设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于电池片切割面的钝化结构及其制备方法、太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种用于电池切割面的钝化结构的制备方法，包括：提供晶硅电池片，所述晶硅电池片具有切割面，所述切割面为分片形成的侧面；将所述切割面的表面温度范围控制在25℃至400℃之间；在所述切割面上形成第一钝化膜；在所述第一钝化膜上形成第二钝化膜；其中，所述第一钝化膜的表面缺陷态密度范围在1.0*108eV‑1cm‑2至1.0*1011eV‑1cm‑2之间；所述第二钝化膜的电荷密度的电荷量范围在1.0*108eV‑1cm‑2至1.0*1011eV‑1cm‑2之间。本发明实施例有利于提高切割面光电转换效率。
本发明授权用于电池片切割面的钝化结构及其制备方法、太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种用于电池切割面的钝化结构的制备方法，其特征在于，包括：提供晶硅电池片，所述晶硅电池片具有切割面，所述切割面为分片形成的侧面；将所述切割面的表面温度范围控制在25℃至400℃之间；在所述切割面上形成第一钝化膜；在所述第一钝化膜上形成第二钝化膜；其中，所述第一钝化膜的表面缺陷态密度范围在1.0*108eV-1cm-2至1.0*1011eV-1cm-2之间；所述第二钝化膜的电荷密度的电荷量范围在1.0*1010cm-2至1.0*1014cm-2之间。
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