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龙图腾网恭喜明晶芯晟(成都)科技有限责任公司申请的专利一种多通道压力测量单元及压力测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113049172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110402720.0，技术领域涉及：G01L9/02；该发明授权一种多通道压力测量单元及压力测量装置是由马盛林;王郴;黄漪婧;练婷婷;汪郅桢设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多通道压力测量单元及压力测量装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种压力测量单元及压力测量装置，该压力测量单元包括：压力传感器芯片、温度敏感芯片、互连衬底、陶瓷封装衬底；压力传感器芯片与温度敏感芯片分别粘结于互连衬底上，压力传感器芯片与温度敏感芯片相邻设置，互连衬底粘接在陶瓷封装衬底上，互连衬底的材质采用与压力传感器芯片和温度敏感芯片相同的材质；互连衬底上开设第一导气通道、第二导气通道；陶瓷封装衬底上开设第三导气通道、第四导气通道；通过第四导气通道通入参考压，通过第三导气通道通入测试压，压力传感器芯片的正面与背面之间形成压力差，解决该压力传感器芯片和温度敏感芯片分别与陶瓷封装衬底之间的热力学参数失配的问题，提高了产品性能。

本发明授权一种多通道压力测量单元及压力测量装置在权利要求书中公布了：1.一种压力测量单元，其特征在于，包括：压力传感器芯片、温度敏感芯片、互连衬底、陶瓷封装衬底；其中，所述压力传感器芯片与所述温度敏感芯片分别粘结于所述互连衬底上，且所述压力传感器芯片与所述温度敏感芯片相邻设置，所述互连衬底粘接在所述陶瓷封装衬底上，所述互连衬底的材质采用与所述压力传感器芯片和所述温度敏感芯片相同的材质；所述互连衬底上开设有与所述压力传感器芯片对应的第一导气通道、以及与所述温度敏感芯片对应的第二导气通道；所述陶瓷封装衬底上开设有与所述第一导气通道对应的第三导气通道、以及与所述第二导气通道对应的第四导气通道；通过所述第四导气通道通入参考压，作用于所述压力传感器芯片的正面，通过所述第三导气通道通入测试压，作用于所述压力传感器芯片的背面，以在所述压力传感器芯片的正面与背面之间形成压力差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人明晶芯晟(成都)科技有限责任公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市(四川)自由贸易试验区成都高新区交子大道500号3栋1单元7楼711号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。