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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000568.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法是由赵斌;徐帅;许彬彬;侯学成;李金钰;张晔;车春城设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及光电探测技术领域，具体而言，涉及一种探测基板、探测基板的制造方法、平板探测器及平板探测器的制造方法。探测基板包括：基板10，包括探测区D、绑定区C、可控通断区B和切割区A；多个探测单元，设于所述基板10上，所述探测单元包括位于所述探测区D上的晶体管和光敏器件，所述晶体管包括栅极21、第一极24和第二极25；所述光敏器件与所述晶体管的第一极24或第二极25连接；多个导线212，设于所述基板10上，一端与多个所述探测单元中所述晶体管的栅极21一一对应连接，另一端延伸至所述绑定区C；导电环210，设于所述基板10的切割区A上；多个检测线211，设于所述基板10上，一端与所述导电环210连接，另一端与所述多个导线212一一对应连接，且穿过所述可控通断区B；其中，位于所述可控通断区B上的所述检测线211能够具有断开状态。本方案的探测基板能够降低静电由边缘引入的风险性，实现静电及时疏导以避免损伤器件。

本发明授权探测基板及其制造方法、平板探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种探测基板，其中，包括：基板10，包括探测区D、绑定区C、可控通断区B和切割区A；多个探测单元，设于所述基板10上，所述探测单元包括位于所述探测区D上的晶体管和光敏器件，所述晶体管包括栅极21、第一极24和第二极25；所述光敏器件与所述晶体管的第一极24或第二极25连接；多个导线212，设于所述基板10上，一端与多个所述探测单元中所述晶体管的栅极21一一对应连接，另一端延伸至所述绑定区C；导电环210，设于所述基板10的切割区A上；多个检测线211，设于所述基板10上，一端与所述导电环210连接，另一端与所述多个导线212一一对应连接，且穿过所述可控通断区B；其中，位于所述可控通断区B上的所述检测线211能够具有断开状态。

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