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龙图腾网恭喜武汉星辰北斗科技有限公司申请的专利一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114357686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110288007.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法是由张良;孔建;张琦;彭文杰;许超钤;王鑫哲设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法，所述方法包括以下步骤：S01、计算掩星事件射线穿入和穿出点的坐标；S02、利用全球电离层模型球谐系数计算穿入点和穿出点处全球电离层模型的观测路径上的绝对电子含量和投影函数；S03、计算对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验模型值；S04、计算对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验误差；S05、更新全球电离层模型球谐系数。以解决现有技术要么由于海洋区域不能建设IGS站，导致效果有限的问题，要么必须收集全球范围的GNSS观测站的观测数据，导致计算较为复杂的问题。

本发明授权一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用掩星数据精化全球电离层模型的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S01、计算掩星事件射线穿入和穿出点的坐标；S02、利用全球电离层模型球谐系数计算穿入点和穿出点处全球电离层模型的观测路径上的绝对电子含量和投影函数；S03、计算对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验模型值；S04、计算对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验误差；S05、更新全球电离层模型球谐系数；所述步骤S03中对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验模型值的计算公式如下： 其中，为观测路径上的绝对电子含量先验模型值，VTECin为射线穿入电离层薄层处的垂直方向电子总含量，VTECout为射线穿出电离层薄层处的垂直方向电子总含量，MFin为穿入点的投影函数，MFout为穿出点的投影函数；所述VTECin和VTECout的计算方法如下： VTECφIPP，λs表示地心纬度为φIPP和经度λs处的垂直方向电子总含量，Cnm和Snm为全球电离层模型的球谐系数，为勒让德函数，N为球谐函数的阶数，m为球谐函数的次数；所述步骤S05中更新全球电离层模型球谐系数的方法如下： 式中，为更新后的球谐系数，Kk为增益矩阵，R是STEC的观测误差，是先验协方差阵，Hk矩阵为对应掩星事件的观测路径上的绝对电子含量的先验模型值的计算公式对应的设计矩阵； 其中， φin表示穿入点维度，λin表示穿入点经度，φout表示穿出点维度，λout表示穿出点经度。

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