恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司施广彦获国家专利权
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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种三栅SiC JFET横向器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113161425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110171334.5，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种三栅SiC JFET横向器件是由施广彦;李昀佶设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三栅SiC JFET横向器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三栅SiCJFET横向器件，包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接；在较低栅压情况下有足够低的比接触电阻，在低工作频率应用情况下，可以大幅降低驱动功耗。
本发明授权一种三栅SiC JFET横向器件在权利要求书中公布了：1.一种三栅SiCJFET横向器件，其特征在于：包括纵向自下而上的体电极、外延层、沟道区、源极、漏极、两个第一侧栅和顶栅；每个所述第一侧栅顶部与顶栅相连，两个第一侧栅和顶栅形成倒U型栅金属结构，每个所述第一侧栅底部与外延层连接，并在顶栅处形成栅电极；所述顶栅和第一侧栅均与沟道区直接接触形成pn结；所述源极以及漏极均连接至所述外延层，且均与所述沟道区连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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