恭喜比埃勒阿尔策瑙有限公司斯特芬·盖特勒获国家专利权
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龙图腾网恭喜比埃勒阿尔策瑙有限公司申请的专利原位蚀刻速率或沉积速率测量系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115136277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180015080.6,技术领域涉及:H01J37/22;该发明授权原位蚀刻速率或沉积速率测量系统是由斯特芬·盖特勒;玛利奥·贝林格;拉尔夫·斯佩林设计研发完成,并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本原位蚀刻速率或沉积速率测量系统在说明书摘要公布了:本发明关于一种用于原位离子束蚀刻速率或沉积速率测量的系统,其包含:一真空室;一离子束源,其被配置以将一离子束导引至位于该真空室内的一样品的一第一表面上,且以一蚀刻速率蚀刻该样品的该第一表面;或一材料源,其被配置为以一沉积速率将材料沉积至位于该真空室内的一样品的一第一表面上;及一干涉测量装置,其至少部分位于该真空室内且被配置以将光导引至该样品的一第二表面上,且基于自该样品反射的光来原位确定该离子束的该蚀刻速率或所沉积材料的该沉积速率。
本发明授权原位蚀刻速率或沉积速率测量系统在权利要求书中公布了:1.一种用于原位离子束体积蚀刻速率测量的系统(100),其包含:一真空室(110);一离子束源(111),其被配置以将一离子束(112)导引至位于该真空室(110)内的一样品(113)的一第一表面(113a)上,且以一体积蚀刻速率蚀刻该样品(113)的该第一表面(113a);及一干涉测量装置(114),其至少部分位于该真空室(110)内且被配置以将光(115)导引至该样品(113)的一第二表面(113b)上,且基于自该样品(113)反射的光来原位确定该离子束(112)的该体积蚀刻速率,其中该样品(113)的该第二表面(113b)与该样品(113)的该第一表面(113a)相对,且其中该体积蚀刻速率与离子束轮廓的蚀刻速率相关。
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