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龙图腾网恭喜聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利LED外延结构及其制备方法和LED器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011454243.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权LED外延结构及其制备方法和LED器件是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED外延结构及其制备方法和LED器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED外延结构及其制备方法和LED器件，LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层。减小了因In偏析导致外延层中应力失配而引入位错、层错、V型缺陷和孔隙等结构缺陷的可能，从而增强晶格质量；并且，增加了量子阱两端的势能差，增加电子与空穴的复合效率，进一步提高了发光效率。

本发明授权LED外延结构及其制备方法和LED器件在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，其特征在于，所述LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组所述电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；所述电子富集层组的数量为3～6组，每组所述电子富集层组内设有2～4层所述电子富集层，多组所述电子富集层组之间，所述电子富集层In掺杂浓度循环周期性变化；所述多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组所述势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层；所述多量子阱区内设有3～10对交替堆叠设置的所述势阱层组和所述势垒层；每组所述势阱层组内设有3～8层所述势阱层。

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