恭喜日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112435970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011069697.X,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成,并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构的一具体实施方式包括:线路基板,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,第一封装层,设置于第一表面,包括第一电子组件和第一封装材,第一缓冲层,设置于第一表面与第一封装层之间,其中,线路基板的热膨胀系数CTE大于第一封装层的CTE,第一缓冲层的CTE大于第一封装材的CTE。该半导体封装结构可以减少翘曲。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装结构,包括:线路基板,具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;第一封装层,设置于所述第一表面,包括第一电子组件和第一封装材;第一缓冲层,设置于所述第一表面与所述第一封装层之间;第二封装层,设置于所述第二表面,包括第二电子组件和第二封装材;第二缓冲层,设置于所述第二表面与所述第二封装层之间;其中,所述线路基板的热膨胀系数CTE大于所述第一封装层的CTE,所述第一缓冲层的CTE大于所述第一封装材的CTE,所述第一封装层的CTE小于所述第二封装层的CTE,所述第二缓冲层的CTE为负值。
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