Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 恭喜日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权

恭喜日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网恭喜日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112435970B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011069697.X,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成,并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开提供了半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构的一具体实施方式包括:线路基板,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,第一封装层,设置于第一表面,包括第一电子组件和第一封装材,第一缓冲层,设置于第一表面与第一封装层之间,其中,线路基板的热膨胀系数CTE大于第一封装层的CTE,第一缓冲层的CTE大于第一封装材的CTE。该半导体封装结构可以减少翘曲。

本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装结构,包括:线路基板,具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;第一封装层,设置于所述第一表面,包括第一电子组件和第一封装材;第一缓冲层,设置于所述第一表面与所述第一封装层之间;第二封装层,设置于所述第二表面,包括第二电子组件和第二封装材;第二缓冲层,设置于所述第二表面与所述第二封装层之间;其中,所述线路基板的热膨胀系数CTE大于所述第一封装层的CTE,所述第一缓冲层的CTE大于所述第一封装材的CTE,所述第一封装层的CTE小于所述第二封装层的CTE,所述第二缓冲层的CTE为负值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。