恭喜朗姆研究公司萨曼莎·西亚姆华·坦获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080046943.1，技术领域涉及：G03F7/36；该发明授权利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影是由萨曼莎·西亚姆华·坦;游正义;李达;范译文;潘阳;杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼尔·彼得;蒂莫西·威廉·威德曼;鲍里斯·沃洛斯基;杨文兵设计研发完成，并于2020-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影在说明书摘要公布了：光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
本发明授权利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影在权利要求书中公布了：1.一种用于处理半导体衬底的方法，其包括：在处理室中，在半导体衬底的衬底层上提供经光图案化的含金属抗蚀剂；以及通过暴露于包括卤化物的干式显影化学品而选择性地移除所述经光图案化的含金属抗蚀剂的一部分，以将所述经光图案化的含金属抗蚀剂进行干式显影，从而形成抗蚀剂掩模。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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