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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括嵌入式半导体器件的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010489044.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权包括嵌入式半导体器件的半导体封装件是由金知晃;姜廷旻;金炫圭;沈钟辅;崔敬世设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括嵌入式半导体器件的半导体封装件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。

本发明授权包括嵌入式半导体器件的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括：封装件衬底，其包括衬底图案和至少部分地包围所述衬底图案的衬底绝缘层，所述封装件衬底具有凹槽，所述凹槽暴露出所述封装件衬底的所述衬底图案的一部分；外部连接端子，其布置在所述封装件衬底下方；嵌入式半导体器件，其布置在所述封装件衬底的所述凹槽内，所述嵌入式半导体器件包括第一衬底、布置在所述第一衬底上的第一有源层、布置在所述第一有源层上的第一芯片焊盘、以及穿通所述第一衬底并且连接至所述衬底图案的所述部分的穿通电极；埋置绝缘层，其布置在所述封装件衬底的所述凹槽内，并且至少部分地包围所述嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分；以及安装式半导体器件，其布置在所述封装件衬底上，并且连接至所述封装件衬底和所述嵌入式半导体器件，其中，所述第一芯片焊盘在竖直方向上与所述安装式半导体器件重叠，并且所述穿通电极在所述竖直方向上不与所述安装式半导体器件重叠。

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