恭喜中国科学院微电子研究所吴朋桦获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种有机半导体材料的阵列制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113620236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010375402.5,技术领域涉及:B81C1/00;该发明授权一种有机半导体材料的阵列制备方法是由吴朋桦;屈芙蓉;孙冰朔;夏洋;李楠;赵丽莉;冷兴龙;李磊设计研发完成,并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有机半导体材料的阵列制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法,根据预设阵列形式,制备获得包括硅柱阵列的硅片;对所述硅柱的表面进行化学修饰,使所述硅柱的表面达到超疏水状态;在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发,使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶,在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品;将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上,在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面,由于采用热蒸镀的方法,因此,特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料;另一方面,采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式,保证阵列的微纳加工质量。
本发明授权一种有机半导体材料的阵列制备方法在权利要求书中公布了:1.一种有机半导体材料的阵列制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:根据预设阵列形式,制备获得包括硅柱阵列的硅片;对所述硅柱的表面进行化学修饰,使所述硅柱的表面达到超疏水状态;在真空条件下对所述有机半导体材料进行热蒸发,使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶,在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品;将所述硅片上形成所述有机半导体材料样品的表面与基底贴合,使所述有机半导体材料样品转移到所述基底上,在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列;所述有机半导体材料为不能液相加工的有机半导体材料;所述对所述硅柱的表面进行化学修饰,具体包括:在真空条件下,使疏水处理剂附着在所述硅柱的表面;对已附着所述疏水处理剂的所述硅柱加热至80-120℃并保持2-4h;所述在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发,具体包括:根据所述有机半导体材料的性质,通过调节热蒸发的温度,控制所述有机半导体材料的热蒸发速率。
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