恭喜意法半导体(鲁塞)公司F·塔耶获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010335378.2，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路是由F·塔耶;M·巴蒂斯塔设计研发完成，并于2020-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路。公开了用于对非易失性存储器NVM进行编程的方法和集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。
本发明授权用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于对非易失性存储器NVM进行编程的方法，所述非易失性存储器NVM包括以存储器字的行和列组织的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，所述方法包括：在编程阶段期间，通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压，对所述所选择的存储器字进行编程，其中每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管以及与所述状态晶体管串联的存取晶体管，所述存取晶体管被连接到相应位线；并且在所述编程阶段期间，向所选择的存储器单元的位线以外的位线以及未选择的行的字线施加所述第一非零正电压，其中同一行的所述存取晶体管的栅极被耦合到字线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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