恭喜朗姆研究公司贾斯廷·奥伯斯特获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于重分配层工艺的替代集成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112514050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980049818.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于重分配层工艺的替代集成是由贾斯廷·奥伯斯特;布莱恩·L·巴卡柳;斯蒂芬·J·巴尼克设计研发完成，并于2019-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于重分配层工艺的替代集成在说明书摘要公布了：在一个示例中，描述了一种用于再分布层RDL工艺的方法。提供衬底。在衬底的上面沉积介电层。使介电层图案化。将阻挡层和铜籽晶层沉积在介电层的上面。将光致抗蚀剂层施加在阻挡层和铜籽晶层的上面。使光致抗蚀剂层图案化以对应于介电层图案。铜电沉积在由光致抗蚀剂层暴露的图案化区域中。去除光致抗蚀剂层。蚀刻铜和籽晶阻挡层。
本发明授权用于重分配层工艺的替代集成在权利要求书中公布了：1.一种用于再分布层RDL工艺的方法，该方法包括：在衬底的表面上沉积介电层；使所述介电层图案化，所述图案化的介电层使所述衬底的所述表面的区域暴露；在所述图案化的介电层和所述衬底的所述表面的所暴露的所述区域上沉积保护层；在所述保护层上沉积光致抗蚀剂层；使所述光致抗蚀剂层图案化，所述图案化的光致抗蚀剂层使所述保护层的第一区域暴露；在所述保护层的所暴露的所述第一区域的上面电沉积铜层；去除所述图案化的光致抗蚀剂层以使所述保护层的第二区域暴露；去除所述保护层的所暴露的所述第二区域以使所述图案化的介电层暴露；以及通过去除所暴露的所述图案化的介电层，沿着所述铜层的侧壁的底部暴露所述衬底的所述表面的区域和所述保护层的阻挡层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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