恭喜三星显示有限公司金恩贤获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112567529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980054011.9，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权显示装置是由金恩贤;高殷慧;金岁玲;金亿洙;李善熙设计研发完成，并于2019-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：根据一个实施例的显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，位于基底上并且彼此间隔开；第一电极，连接到第一晶体管或第二晶体管；第二电极，与第一电极叠置；以及发光层，位于第一电极与第二电极之间。第一晶体管包括：第一半导体层，位于基底上；第一栅电极，位于第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，连接到第一半导体层。第二晶体管包括：第二半导体层，位于基底上；第二栅电极，位于第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，连接到第二半导体层。第一栅电极和第二半导体层位于同一层上。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；第一晶体管和第二晶体管，设置在所述基底上并且彼此间隔开；第一电极，电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个；第二电极，与所述第一电极叠置；以及发光层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一晶体管包括：第一半导体层，位于所述基底上；第一栅电极，位于所述第一半导体层上；以及第一源电极和第一漏电极，电连接到所述第一半导体层，所述第二晶体管包括：第二半导体层，位于所述基底上；第二栅电极，位于所述第二半导体层上；以及第二源电极和第二漏电极，电连接到所述第二半导体层，所述第一栅电极和所述第二半导体层位于同一层上，所述第一栅电极包括掺杂有杂质的多晶硅，所述第二半导体层包括多晶硅，所述第一半导体层包括氧化物半导体，并且所述第一半导体层设置为比所述第二半导体层靠近所述基底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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