恭喜长鑫存储技术有限公司李雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910406130.8，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝存储单元及其形成方法是由李雄设计研发完成，并于2019-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝存储单元及其形成方法在说明书摘要公布了：一种反熔丝存储单元及其形成方法，所述反熔丝存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和至少两个下电极区，所述下电极区与所述互连区至少一部分接触；覆盖所有下电极区表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层。本发明的反熔丝存储单元的编程电压降低。
本发明授权反熔丝存储单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和至少两个下电极区，所述下电极区与所述互连区至少一部分接触；覆盖所有所述下电极区表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层；所述有源区周围的半导体衬底中以及相邻下电极区之间的半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述下电极区顶部表面边缘接触的部分具有向下的凹陷，所述栅介质层和上电极层填充所述凹陷，使得上电极层具有向下的下凸区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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